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摘要:
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基于新一代半导体GaN的高效率功率放大器的研制
GaN
功率匹配
高效率功率放大器
通信系统
新一代SiC功率器件及其在逆变焊机中的应用
SiC
逆变焊机
功率器件
宽禁带半导体
加研制出新一代纳米捕光“天线”
捕光天线
纳米材料
半导体材料
光合作用
物理学家
耶鲁大学
微小颗粒
科学家
SiC半导体材料和工艺的发展状况
碳化硅器件
器件工艺
半导体材料
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 新一代宽禁带半导体材料
来源期刊 科技信息 学科 工学
关键词
年,卷(期) 2001,(1) 所属期刊栏目 高新技术
研究方向 页码范围 29
页数 1页 分类号 TN3
字数 1573字 语种 中文
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相关学者/机构
期刊影响力
科技信息
旬刊
1001-9960
37-1021/N
大16开
山东省济南市
24-72
1984
chi
出版文献量(篇)
124239
总下载数(次)
249
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