立方GaAs（100）衬底上制备单相六方GaN薄膜

• 作者: 孙一军 李爱珍 齐鸣
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 金属有机化学气相沉积 氮化镓 砷化镓衬底 六方结构
• 年，卷（期）: 2001,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 313-316
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.54|TN304.2+3
• 字数: 2576字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.03.014

摘要

立方GaAs（100）衬底上制备的GaN薄膜多为立方结构且立方相为亚稳相，采用水平常压MOCVD方法在立方GaAs（100）衬底上制备出了GaN薄膜．XRD测试表明，薄膜具有单一的相．结合对工艺条件的分析，认为薄膜具有六方结构．最后，通过Raman光谱测试，证实在立方GaAs衬底上制备出了单相六方GaN薄膜．还对立方GaAs衬底上制备出六方GaN薄膜的原因进行了讨论．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	齐鸣	中国科学院上海冶金研究所	34	145	8.0	9.0
2	李爱珍	中国科学院上海冶金研究所	52	397	10.0	16.0
3	孙一军	中国科学院上海冶金研究所	4	32	3.0	4.0