Si1-xGex薄膜Ge表面偏聚的Monte Carlo模型

• 作者: 叶志镇 蒋良俊 黄靖云
• 来源期刊: 半导体情报
• 学科: 工学
• 关键词: 锗硅薄膜 Ge偏聚 Monte Carlo方法
• 年，卷（期）: 2001,（3）
• 所属期刊栏目: 研究探讨
• 页码范围: 56-58
• 页数: 3页
• 分类号: TN302|TN304.2+4
• 字数: 1698字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2001.03.013

摘要

目前已经有许多学者研究了用UHV/CVD方法生长Si1-xGex薄膜时Ge在表面、次表面的偏聚.一种对这种实验结果的解释是由于化学原因(例如氧化)造成锗原子的化学势差,这种化学势差成为锗原子迁移产生锗偏聚的动力.本文通过应用一个简单的统计热力学模型,对在这种机理下产生的锗偏聚进行了研究.这种用Monte Carlo方法建立的模型所得到的计算结果与实验结果相当吻合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	叶志镇	浙江大学硅材料国家重点实验室	155	1638	21.0	35.0
2	黄靖云	浙江大学硅材料国家重点实验室	51	610	12.0	23.0
3	蒋良俊	浙江大学硅材料国家重点实验室	1	0	0.0	0.0