半导体GaAs—Ga0.65Al0.35As多量子阱的光谱性质及实现激光制冷的可能

• 作者: 张伟力 张喜田 张家骅 秦伟平 许武 陈宝玖 高红
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 光致发光 激发光谱 量子阱 激光制冷 上转换
• 年，卷（期）: 2001,（2）
• 页码范围: 159-162
• 页数: 4页
• 分类号: O471.1
• 字数: 1157字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2001.02.010

摘要

我们利用光致发光(PL)和激发光谱(PLE)技术研究了GaAs量子阱的光谱性质，在GaAs量子阱的光致发光中观察到上转换发光，首次提出GaAs量子阱结构可能实现激光制冷，探索了GaAs量子阱结构的发光机理。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张家骅	中国科学院长春物理研究所	47	768	12.0	27.0
2	陈宝玖	中国科学院长春物理研究所	33	375	11.0	18.0
3	许武	中国科学院长春物理研究所	28	168	8.0	12.0
4	张伟力	哈尔滨师范大学物理系	7	58	3.0	7.0
5	高红	哈尔滨师范大学物理系	41	128	5.0	10.0
6	张喜田	哈尔滨师范大学物理系	18	74	6.0	8.0
7	秦伟平	中国科学院长春物理研究所	18	167	7.0	12.0