Si/SiGe PMOS器件的模拟优化设计与样品研制

• 作者: 于奇 何林 凡则锐 刘道广 张静 易强 李开成 李竞春 杨沛锋 杨谟华 谢孟贤 谭开洲 陈勇
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 锗硅 场效应晶体管 优化
• 年，卷（期）: 2001,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1434-1438
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 916字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.11.017

摘要

通过理论分析与计算机模拟,给出了以提高跨导为目标的Si/SiGe PMOSFET优化设计方法,包括栅材料的选择、沟道层中Ge组分及其分布曲线的确定、栅氧化层及Si盖帽层厚度的优化和阈值电压的调节,基于此已研制出Si/SiGe PMOSFET器件样品.测试结果表明,当沟道长度为2μm时,Si/SiGe PMOS器件的跨导为45mS/mm(300K)和92mS/mm(77K),而相同结构的全硅器件跨导则为33mS/mm(300K)和39mS/mm(77K).