三甲基镓流量对GaN外延层和GaN缓冲层生长的影响

• 作者: 刘祥林 汪度 王占国 王晓晖 袁海荣 陆大成 陈振 韩培德
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 三甲基镓流量 缓冲层 MOVPE
• 年，卷（期）: 2001,（z1）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 17-20
• 页数: 4页
• 分类号: TN312.8
• 字数: 1068字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2001.z1.005

摘要

采用金属有机物气相外延法在蓝宝石衬底上生长了以GaN为缓冲层的GaN薄膜.研究了不同三甲基镓流量下所生长缓冲层对GaN外延层质量的影响.对样品采用X线双晶衍射法测试其结晶质量,光致发光法测试其光学特性.实验结果显示高三甲基镓流量下生长的缓冲层可以提高GaN外延层的质量.对缓冲层进行的原子力显微镜测试分析表明:不同三甲基镓流量会显著地影响缓冲层的生长模式.根据试验结果构造了一个GaN缓冲层的生长模型.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘祥林		19	103	5.0	9.0
2	王占国		101	701	15.0	23.0
3	韩培德		35	127	6.0	9.0
4	汪度		9	20	3.0	3.0
5	陆大成		13	45	4.0	6.0
6	王晓晖		11	21	3.0	3.0
7	陈振		7	30	2.0	5.0
8	袁海荣		8	39	4.0	6.0