共轭梯度法研究超晶格GaAs/AlxGa1－xAs的电子结构

• 作者: 任世伟 姜恩永 金光日 金成规 金英进
• 来源期刊: 天津大学学报(英文版)
• 学科: 物理学
• 关键词: 电子结构 超晶格 从头计算 共轭梯度方法
• 年，卷（期）: 2001,（2）
• 页码范围: 98-100
• 页数: 3页
• 分类号: O481.1
• 字数: 886字
• 语种: 英文

摘要

改进了一种从头计算方法-共轭梯度方法，研究了超晶格GaAs/AlxGa1－xAs的电子结构．根据超晶格的基本方程，在固定电子密度n(z)下，求解了基本方程的本征值和本征函数，并由它们组成新的n(z)，重复此过程直到得自洽解．另按超晶格基本方程的具体情况，对每个kz独立地应用了共轭梯度方法，此可大大节省与Gram-Schmit正交化有关的时间．计算了超晶格的两个最低子能带之间的能量差和Fermi能量，其模拟计算的结果与对应的实验数值一致．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	姜恩永	天津大学理学院应用物理系	44	225	8.0	14.0
2	任世伟	天津大学理学院应用物理系	6	9	2.0	3.0
3	金英进	天津大学理学院应用物理系	3	0	0.0	0.0
4	金光日	金日成综合大学物理系	2	0	0.0	0.0
5	金成规	金日成综合大学物理系	1	0	0.0	0.0