硅单晶生长中氩气流动对氧碳含量的影响

• 作者: 任丙彦 刘彩池 张志成 王猛 郝秋燕
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: CZSi 氩气流 数值模拟 氧碳含量
• 年，卷（期）: 2001,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1416-1419
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.1+2
• 字数: 2433字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.11.013

摘要

通过对406mm热场中氩气的流动方式及流速进行调整,得到了氧碳含量不同的硅单晶,并通过数值模拟计算将氩气流线图描绘出来,对实验结果进行了分析,得到了降低氧碳含量的最佳氩气流场分布.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张志成	中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室	53	1295	17.0	35.0
2	任丙彦	河北工业大学半导体材料研究所	31	241	9.0	14.0
3	刘彩池	河北工业大学半导体材料研究所	63	305	11.0	14.0
4	王猛	河北工业大学半导体材料研究所	4	13	1.0	3.0
5	郝秋燕	河北工业大学半导体材料研究所	1	0	0.0	0.0