UHV/CVD硅外延的实时硼掺杂研究

• 作者: 叶志镇 汪雷 王亚东 赵炳辉 马德群 黄靖云
• 来源期刊: 材料科学与工程
• 学科: 工学
• 关键词: 超高真空化学气相沉积 实时B掺杂 硅外延
• 年，卷（期）: 2001,（2）
• 页码范围: 33-35
• 页数: 3页
• 分类号: TV304.055
• 字数: 1499字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-2812.2001.02.009

摘要

本文利用超高真空化学气相沉积系统(UHV/CVD)在720℃Si(100)衬底上进行了实时B掺杂的硅外延.采用二次离子质谱仪(SIMS),傅立叶红外光谱(FTIR),扩展电阻仪(SRP)对外延层的性能进行研究.研究表明:720℃生长时已经实时掺入了B原子,1000℃退火5分钟后,外延层中B原子被激活,浓度达到1017～1O18cm-1,且过渡层分布陡峭.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	叶志镇	浙江大学微系统研究与开发中心	155	1638	21.0	35.0
2	赵炳辉	浙江大学微系统研究与开发中心	74	719	14.0	24.0
3	汪雷	浙江大学微系统研究与开发中心	41	646	13.0	25.0
4	黄靖云	浙江大学微系统研究与开发中心	51	610	12.0	23.0
5	王亚东	浙江大学微系统研究与开发中心	12	69	4.0	8.0
6	马德群	浙江大学微系统研究与开发中心	1	4	1.0	1.0