α-C:F薄膜的键合结构与电子极化研究

• 作者: 叶超 宁兆元 康健 方亮 程珊华 辛煜 陆新华 项苏留
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 物理学
• 关键词: α-c:F薄膜 键结构 电子极化
• 年，卷（期）: 2001,（5）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 499-501
• 页数: 3页
• 分类号: O484
• 字数: 3065字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2001.05.018

摘要

利用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积技术,通过改变微波输入功率的方法,沉积了具有不同结构特征的氟化非晶碳(α-C:F)薄膜.随着微波功率从M0w升高到560w,薄膜的光频介电常数从2.26降至1.68,红外光谱(FTIR)分析表明薄膜的键结构由以CF基团为主变化到CF与cF2基团共存.由于CF2基团的极化比CF基团弱,薄膜中CF2基团的增加可能是导致光频介电常数减小的因素.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宁兆元	苏州大学理学院物理系	70	528	12.0	18.0
2	方亮	苏州大学理学院物理系	23	132	5.0	10.0
3	辛煜	苏州大学理学院物理系	38	176	8.0	10.0
4	叶超	苏州大学理学院物理系	33	244	10.0	14.0
5	程珊华	苏州大学理学院物理系	30	347	11.0	17.0
6	康健	苏州大学理学院物理系	6	46	3.0	6.0
7	陆新华	江苏大学化学化工系	1	2	1.0	1.0
8	项苏留	江苏大学分析测试中心	1	2	1.0	1.0