Si3N4无杂质空位诱导InGaAs/InP 量子阱结构带隙的蓝移

• 作者: 冯哲川 张晓丹 王永晨 赵杰 陈景莉
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 无杂质空位诱导无序 量子阱 光荧光谱 二次离子质谱
• 年，卷（期）: 2001,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文与技术报告
• 页码范围: 188-190,197
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.26|O471.5
• 字数: 1879字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2001.03.010

摘要

用光荧光谱和二次离子质谱的方法，研究了由Si3N4电介质薄膜引起的无杂质空位诱导InGaAs/InP多量子阱结构的带隙蓝移。实验中选用Si3N4作为电介质层，用以产生空位,并经快速热退火处理。实验结果表明，带隙蓝移同退火时间和退火温度有关，合理选用退火条件可以控制带隙的蓝移量。二次离子质谱分析表明，电介质盖层Si3N4和快速热退火导致量子阱中阱和垒之间互扩，这种互扩是导致带隙蓝移的主要原因。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵杰	天津师范大学物理系	40	171	8.0	11.0
2	张晓丹	天津师范大学物理系	4	7	2.0	2.0
3	王永晨	天津师范大学物理系	16	24	3.0	4.0
4	陈景莉		1	0	0.0	0.0
5	冯哲川		1	0	0.0	0.0