Alq3/ITO结构的表面和界面电子状态的XPS研究

• 作者: 张福甲 李海蓉 王延勇 郑代顺
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: Alq3/ITO 表面和界面电子状态 XPS
• 年，卷（期）: 2001,（4）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 351-356
• 页数: 6页
• 分类号: TN383.1
• 字数: 3427字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2001.04.009

摘要

用传统的真空蒸镀法制备了Alq3/ITO样品,并用X光电子能谱(XPS)研究了Alq3/ITO紧密接触的表面和界面电子化学状态.对Alq3/ITO样品的表面分析表明,在Alq3分子中,Al原子的束缚能(Eb)为70.7eV和75.1eV,分别对应于Al(0)和Al(Ⅲ)态;C原子的束缚能为285.8eV、286.3eV和286.8eV,分别对应于C-C、C-O和C-N键;N原子的主峰位于401.0eV,对应于C-N=C键;而O原子主要与H原子成键,其束缚能为532.8eV.为了研究Alo3/ITO的界面电子状态,我们用氩离子束对样品表面进行了溅射剥蚀,当溅射时间分别为30,35,45分钟时进行XPS采谱分析.结果表明,随着氩离子束溅射时间增长,Al2p、Cls、Nls、Ols、In3d5/2和Sn3d5/2峰都向低束缚能方向有微小移动,且Al2p、C1s和Nls峰变弱,这是受ITO中扩散进入Alq3层的O、In和Sn原子的影响所致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张福甲	兰州大学物理学院	71	318	9.0	14.0
2	李海蓉	兰州大学物理学院	18	81	5.0	8.0
3	郑代顺	兰州大学物理学院	8	80	5.0	8.0
4	王延勇	兰州大学物理学院	1	8	1.0	1.0