GaAs太阳电池的质子辐照和退火效应

• 作者: 向贤碧 常秀兰 廖显伯 杜文会
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 质子辐照 热退火 太阳电池
• 年，卷（期）: 2001,（6）
• 页码范围: 710-714
• 页数: 5页
• 分类号: TM914.4
• 字数: 515字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.06.007

摘要

对AlGaAs/GaAs太阳电池进行了质子辐照和热退火实验.质子辐照的能量为325keV,辐照的剂量为5×1010-1×1013cm-2.实验结果表明,质子辐照造成了GaAs太阳电池光伏性能的退化,其中短路电流的退化比其它参数的退化更为明显.退火实验结果表明,200℃的低温退火可以使得辐照后的电池的光伏性能得以部分恢复.此外,实验结果还指出,在GaAs太阳电池表面加盖一层0.5mm的硼硅玻璃盖片可以明显地减少质子辐照对GaAs太阳电池性能的损伤.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	廖显伯	中国科学院半导体研究所表面物理国家实验室	31	378	7.0	19.0
2	向贤碧	中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室	19	49	4.0	7.0
3	杜文会	中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室	1	11	1.0	1.0
4	常秀兰	中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室	2	28	2.0	2.0