高质量LiCaAlF6晶体生长条件的探索

• 作者: 徐学珍 那木吉拉图 阮永丰
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: LiCaAlF6晶体 引上法 激光晶体
• 年，卷（期）: 2001,（3）
• 页码范围: 284-288
• 页数: 5页
• 分类号: O782.5
• 字数: 2053字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2001.03.012

摘要

本文报道了采用提拉法在不同加热系统中和不同生长气氛下进行的LiCaAlF6晶体生长的实验,以探索高质量晶体的生长条件,并讨论了在晶体生长过程中晶体内部和表面上的某些缺陷的形成原因.为了获得高质量的晶体,抑制原材料的氧化和挥发,实现生长过程的稳定控制,是晶体生长过程中不可忽视的三要素.在较小的温度梯度、较高真空度(2×10-2Pa)、敞开式保温体系、较高控温精度(±0.1℃)及充入保护气体CF4条件下,可生长高质量的LiCaAlF6晶体.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	阮永丰	天津大学理学院物理系	57	357	11.0	14.0
2	徐学珍		10	71	4.0	8.0
3	那木吉拉图	天津大学理学院物理系	4	32	2.0	4.0