碳化硅超细粉的制备新法

• 作者: 戴长虹 水丽
• 来源期刊: 中国粉体技术
• 关键词: 碳化硅 超细粉 制备
• 年，卷（期）: 2001,（1）
• 所属期刊栏目: 颗粒制造与处理
• 页码范围: 10-11
• 页数: 2页
• 分类号: TQ127.1+2
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1008-5548.2001.01.004

摘要

用一种新的方法——双重加热法制备了直径在50～6 0nm范围内的SiC超细粉，用化学分析方法、X射线衍射、透射电子显微镜等手段对 SiC超细粉进行了表征。研究结果表明，用双重加热法制备SiC超细粉的最佳温度为1 350℃，恒温时间为60min，SiC超细粉的产率可达98％(质量分数)左右。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	水丽		19	209	8.0	14.0
2	戴长虹	青岛化工学院电镜室	7	59	3.0	7.0