高价态差掺杂氧化物透明导电薄膜的研究

• 作者: 孟扬 杨锡良 沈杰 章壮健 蒋益明 陈华仙
• 来源期刊: 光电子技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 透明导电薄膜 掺杂氧化物 掺钼氧化铟
• 年，卷（期）: 2001,（1）
• 页码范围: 17-24
• 页数: 8页
• 分类号: O484
• 字数: 5198字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-488X.2001.01.002

摘要

在实用的透明导电氧化物(TCO)薄膜中,载流子迁移率主要是受电子与掺杂离子之间散射的限制.如果掺杂离子与氧化物中被替代离子的化合价相差较大,每个掺杂离子可以提供较多的自由载流子,则使用较少的掺杂量就可以获得足够多的自由载流子,而且可以获得较高的载流子迁移率和减少薄膜对可见光的吸收,是提高TCO薄膜性能的一条捷径.采用反应蒸发法制备的掺钼氧化铟(In2O3:Mo,简称IMO)薄膜中,Mo6+与In3+的化合价态相差3,远大于广泛研究和应用的TCO薄膜材料In2O3:Sn、SnO2:F和ZnO:Al中的价态差.IMO薄膜的电阻率可以低至1.7×10-4Ω·cm,对4 μm以上波长红外线的反射率和可见光区域的平均透射率(含1.2 mm厚玻璃基底)都高于80%;载流子迁移率高达80～130cm2V-1s-1,远超过其它掺杂TCO薄膜;但是自由载流子浓度只有2.5×1020～3.5×1020cm-3,还有很大的发展空间可以进一步提高性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	沈杰	复旦大学材料科学系	79	645	12.0	22.0
2	杨锡良	复旦大学材料科学系	22	512	13.0	22.0
3	章壮健	复旦大学材料科学系	41	667	16.0	24.0
4	孟扬	复旦大学材料科学系	6	180	5.0	6.0
5	陈华仙	复旦大学材料科学系	5	181	5.0	5.0
6	蒋益明	复旦大学材料科学系	45	486	11.0	21.0