一种抗辐射加固功率器件--VDMNOSFET

• 作者: 刘英坤 李思渊 梁春广 王长河
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 抗辐射加固 双层栅介质 功率VDMNOSFET
• 年，卷（期）: 2001,（7）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 841-845
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 951字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.07.006

摘要

采用Si3N4-SiO2双层栅介质及自对准重掺杂浅结P+区研制出了一种抗辐射加固功率器件--VDMNOSFET(垂直双扩散金属-氮化物-氧化物-半导体场效应晶体管).给出了该器件的电离辐射效应及瞬态大剂量辐射的实验数据,与常规VDMOSFET相比获得了良好的抗辐射性能.对研制的200V VDMNOSFET,在栅偏压+10V,γ总剂量为1Mrad(Si)时,其阈值电压仅漂移了-0.5V,跨导下降了10%.在γ瞬态剂量率达1×1012rad(Si)/s时,器件未发生烧毁失效.实验结果证明Si3N4-SiO2双层栅介质及自对准重掺杂浅结P+区显著地改善了功率MOS器件的抗电离辐射及抗辐射烧毁能力.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李思渊	兰州大学物理系	25	113	7.0	9.0
2	梁春广		9	68	3.0	8.0
3	刘英坤	兰州大学物理系	4	6	2.0	2.0
7	王长河		1	0	0.0	0.0