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摘要:
采用PECVD方法分别沉积了SiO x∶H和SiOxNy∶H薄膜,测量了其荧光特性.在SiOx∶H薄膜中观察到300~570nm强荧光辐射带,并发现其中心位置随着氧含量的增加而红移的现象.在合适的氧含量条件下,荧光带主峰位于蓝光波段,并具有分立峰结构.在SiOxNy∶ H薄膜中,荧光谱由250~400nm、500~700nm两个荧光带和370nm、730nm两组分立荧光峰组成.分立峰强度随薄膜中的氮含量增加而升高;荧光带中心位置受到沉积过程中氢的流量调制,当氢流量增加时,发射带的中心位置产生蓝移.
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文献信息
篇名 氧、氮掺杂非晶硅基薄膜的荧光
来源期刊 发光学报 学科 物理学
关键词 非晶硅基薄膜 氧和氮掺杂 荧光
年,卷(期) 2001,(1) 所属期刊栏目 ·研究报告·
研究方向 页码范围 71-74
页数 4页 分类号 O472.3
字数 2273字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:1000-7032.2001.01.019
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 欧阳艳东 汕头大学物理系 52 293 10.0 13.0
2 吴雪梅 苏州大学薄膜材料实验室 72 331 9.0 13.0
3 姚伟国 苏州大学薄膜材料实验室 21 66 4.0 6.0
4 石旺舟 汕头大学物理系 15 85 5.0 9.0
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研究主题发展历程
节点文献
非晶硅基薄膜
氧和氮掺杂
荧光
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
发光学报
月刊
1000-7032
22-1116/O4
大16开
长春市东南湖大路16号
12-312
1970
chi
出版文献量(篇)
4336
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7
总被引数(次)
29396
论文1v1指导