真空热蒸发碲化镉薄膜的结构组成和光电性能研究

• 作者: 张溪文 韩高荣
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 物理学
• 关键词: CdTe薄膜 真空热蒸发 薄膜氧化
• 年，卷（期）: 2001,（3）
• 所属期刊栏目: 技术交流
• 页码范围: 229-232
• 页数: 4页
• 分类号: O484.4+1|O484.5
• 字数: 3430字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2001.03.015

摘要

研究了真空热蒸发制备CdTe薄膜的光电性能以及微结构、化学组成和成膜机理。通过X射线衍射、透射电镜电子衍射、X光电子能谱和光、暗电导测试等分析手段，系统表述了薄膜的组成、结构、表面氧化与真空热蒸发工艺的关系。指出基板温度是决定CdTe薄膜组成和结构的关键参数，150 ℃左右制备的CdTe薄膜具有最佳光电性能和成膜质量。另外，对CdTe薄膜的氧化机制和成膜机理也进行了初步探讨。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩高荣	浙江大学材料系	187	1971	24.0	35.0
2	张溪文	浙江大学材料系	43	309	11.0	16.0