CMOS/SOI 64Kb静态随机存储器

• 作者: 刘忠立 刘新宇 吴德馨 周小茵 海潮和 韩郑生
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: ATD电路 DWL技术 SOI ESD电路 两级灵敏放大器
• 年，卷（期）: 2001,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 47-52
• 页数: 6页
• 分类号: TN432
• 字数: 3471字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.01.008

摘要

对一种CMOS/SOI 64Kb静态随机存储器进行了研究，其电路采用8K×8的并行结构体系．为了提高电路的速度，采用地址转换监控(Address-Translate-Detector，ATD)、两级字线(Double-Word-Line，DWL)和新型的两级灵敏放大等技术，电路存取时间仅40ns；同时，重点研究了SOI静电泄放(Electrostatic-Discharge，ESD)保护电路和一种改进的灵敏放大器，设计出一套全新ESD电路，其抗静电能力高达4200—4500V．SOI 64Kb CMOS静态存储器采用1.2μm SOI CMOS抗辐照工艺技术，芯片尺寸为7.8mm×7.24mm．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘新宇	中国科学院微电子研究和发展中心	141	717	13.0	18.0
2	海潮和	中国科学院微电子研究和发展中心	72	277	9.0	13.0
3	吴德馨	中国科学院微电子研究和发展中心	58	345	11.0	14.0
4	韩郑生	中国科学院微电子研究和发展中心	122	412	10.0	12.0
5	刘忠立	中国科学院半导体研究所	77	412	12.0	14.0
6	周小茵	中国科学院微电子研究和发展中心	5	45	4.0	5.0