SO1-Gel法硅基PZT铁电薄膜研究

• 作者: 任天令 刘理天 张林涛 张武全 李志坚
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: sol-gel法 PZT 铁电薄膜
• 年，卷（期）: 2001,（3）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 252-253
• 页数: 2页
• 分类号: TM22.1|TN43
• 字数: 2158字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2001.03.011

摘要

介绍了以硝酸锆、醋酸铅和钛酸四丁酯为原料用溶胶-凝胶(sol-gel)方法在硅衬底上制备Pb(Zr0.53Ti0.47)O3(PZT)铁电薄膜的工艺流程.对铁电薄膜的表面形貌、晶化程度、界面状态等性质进行了分析,结果表明硅基PZT薄膜形成了良好的钙钛矿结构.并在此基础上实现了制备PZT铁电薄膜的低温改进工艺.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘理天	清华大学微电子所	230	1519	19.0	23.0
2	任天令	清华大学微电子所	87	600	13.0	19.0
3	李志坚	清华大学微电子所	84	451	11.0	15.0
4	张林涛	清华大学微电子所	10	68	5.0	7.0
5	张武全	清华大学微电子所	4	42	4.0	4.0