GaAs MESFET旁栅效应与旁栅距的关系研究

• 作者: 丁勇 丁干 夏冠群 崔丽娟 毛友德 赵福川
• 来源期刊: 半导体情报
• 学科: 工学
• 关键词: 旁栅效应 旁栅距 碰撞电离
• 年，卷（期）: 2001,（1）
• 所属期刊栏目: 研究探讨
• 页码范围: 58-61
• 页数: 4页
• 分类号: TN302
• 字数: 1787字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2001.01.015

摘要

旁栅效应是影响GaAs器件及电路性能的有害寄生效应.本文研究了旁栅阈值电压Vth SG与旁栅距LSG的关系,发现Vth SG的大小与LSG成正比关系,并理论探讨了产生这一现象的机制,从而验证了旁栅阈值电压与旁栅距关系的有关理论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	丁勇		64	1069	19.0	31.0
2	夏冠群	中科院上海冶金所	5	15	2.0	3.0
3	毛友德		13	29	3.0	5.0
4	丁干		1	0	0.0	0.0
5	崔丽娟		1	0	0.0	0.0
6	赵福川	中科院上海冶金所	1	0	0.0	0.0