GaAs光电导探测器

• 作者: 张乃罡 林理彬 甘荣兵
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: GaAs 探测器 辐照改性
• 年，卷（期）: 2001,（6）
• 页码范围: 37-39
• 页数: 3页
• 分类号: TL814
• 字数: 1749字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2001.06.012

摘要

研究了一种双微带结构的GaAs光电导探测器的性能，测量了本征GaAs探测器和经过1.6MeV电子辐照的探测器的x脉冲响应，并对其响应时间，后沿下降时间，半高宽（FWHM）进行对比研究，结果显示经电子辐照后的探测器的性能得到了明显的提高。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林理彬	四川大学物理系	90	605	13.0	20.0
2	张乃罡	四川大学物理系	1	9	1.0	1.0
3	甘荣兵	四川大学物理系	10	117	6.0	10.0