PHEMT材料MBE生长及其应用

• 作者: 将朝晖 尹志军 方小华 王向武 谢自力 邱凯 陈建炉
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 分子束外延 赝配高电子迁移率晶体管 低温砷化镓
• 年，卷（期）: 2001,（3）
• 页码范围: 174-177
• 页数: 4页
• 分类号: TN405.98
• 字数: 302字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2001.03.002

摘要

我们对PHEMT材料中应变沟道InGaAs层生长条件进行了优化,并采用了LT-GaAs中缺陷扩散的阻挡层.功率PHEMT器件结果为在栅长Lg=1.0μ时,跨导g\-m≥400 ms/mm,BV\-\{DS\}>1 5V,BV\-\{GS\}>10V表明该材料有较好的性能.作为材料的缓冲层,结果表明器件性能优良 ,是国内最好结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢自力		11	34	4.0	5.0
2	邱凯		8	33	3.0	5.0
3	尹志军		11	40	4.0	6.0
4	方小华		3	16	1.0	3.0
5	陈建炉		5	21	2.0	4.0
6	王向武		11	24	2.0	4.0
7	将朝晖		1	0	0.0	0.0