在GaN生长初期形貌发展的观察

• 作者: 刘祥林 汪度 王晓晖 袁海荣 陆大成 陈振 韩培德
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 形貌发展 GaN外延层
• 年，卷（期）: 2001,（z1）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 29-32
• 页数: 4页
• 分类号: TN312.8
• 字数: 1056字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2001.z1.008

摘要

报道了对GaN在生长初期形貌发展的观察和形貌的高度分布演化.形貌观察发现GaN外延层由分离的岛转化为连续的膜,形貌的发展显示GaN经历了横向生长的阶段.利用原子力显微镜有数字化记录的特点,从形貌的观察中也得到了外延层高度分布,发现高度分布可用单峰或多峰高斯分布拟合.通过与形貌特征的对比,发现宽而且不对称的分布对应着岛状的外延层形貌,可以用多峰高斯分布拟和;窄而且对称的分布则对应着比较连续的膜,可以用单峰高斯分布拟和.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘祥林		19	103	5.0	9.0
2	韩培德		35	127	6.0	9.0
3	汪度		9	20	3.0	3.0
4	陆大成		13	45	4.0	6.0
5	王晓晖		11	21	3.0	3.0
6	陈振		7	30	2.0	5.0
7	袁海荣		8	39	4.0	6.0