Ⅲ族氮化物量子点研究进展

• 作者: 张会肖
• 来源期刊: 半导体情报
• 学科: 物理学
• 关键词: 量子点 GaN InN InGaN
• 年，卷（期）: 2001,（4）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 22-26
• 页数: 5页
• 分类号: O471.1
• 字数: 4537字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2001.04.005

摘要

综述了Ⅲ族氮化物量子点材料及其器件应用研究现状.主要涉及了GaN,hN和InGaN量子点材料的形貌结构特征、实现工艺方法、外延生长机理、光学特性和器件应用等内容.同时对该领域的未来研究趋势也进行了讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张会肖		2	26	2.0	2.0