离子晶体生长机理及其生长习性

• 作者: 施尔畏 李汶军 殷之文
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 生长机理 生长习性 水热法
• 年，卷（期）: 2001,（3）
• 页码范围: 232-241
• 页数: 10页
• 分类号: O781
• 字数: 6860字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2001.03.003

摘要

从阴、阳离子在界面上互相配位的角度介绍了一种新的微观生长机理模型,指出了生长基元进入晶格的驱动力为离子之间的静电引力,其相对大小由各界面上离子的静电键强近似测定.讨论了完好晶体(如ZnS、CsCl、PZT和PbWO4晶体)的生长习性.提出了一种新的生长习性判定法则.即当晶体生长由台阶产生速度决定时,晶体的生长习性与晶体中络合能力最小的离子在各界面上的配位数有关.在界面上离子的配位数越小,该晶面的生长速度越快.当晶体的生长速度由台阶移动速度决定时,晶体的生长习性与晶体中络合能力最小的离子在界面上的密度有关.在界面上离子的密度越小,该晶面的生长速度越快.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	殷之文	中国科学院上海硅酸盐研究所	69	1195	20.0	33.0
2	施尔畏	中国科学院上海硅酸盐研究所	71	1736	25.0	41.0
3	李汶军	中国科学院上海硅酸盐研究所	24	1290	19.0	24.0