Cd1-xZnxTe晶片中Zn组分的室温 显微光致发光平面扫描表征

• 作者: 何力 李志锋 杨建荣 沈学础 蔡炜颖 陆卫 黄根生
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: CdZnTe 平面分布 显微光致发光 平面扫描
• 年，卷（期）: 2001,（2）
• 页码范围: 177-181
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2+2
• 字数: 2557字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.02.014

摘要

用显微光致发光（μ-PL）平面扫描的方法对CdZnTe(CZT)晶片进行了研究．分别在19μm×16μm的缺陷区域进行微米尺度和7.9mm×6.0mm的大面积范围内进行毫米尺度的逐点PL测量．对测得每一点的PL谱进行了拟合，得到测量点的禁带宽度等参数，其平面分布对应于CZT中Zn的组分分布．统计的结果给出禁带宽度的不均匀性．对样品进行溴抛光后重复类似的测量，结果表明禁带宽度的均匀性大为改善，接近了材料组分的真实分布．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陆卫	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室	95	442	12.0	16.0
2	杨建荣	中国科学院上海技术物理研究所功能材料器件中心	38	175	7.0	11.0
3	何力	中国科学院上海技术物理研究所功能材料器件中心	54	417	13.0	17.0
4	李志锋	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室	37	186	8.0	12.0
5	蔡炜颖	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室	9	17	2.0	3.0
6	黄根生	中国科学院上海技术物理研究所功能材料器件中心	4	7	2.0	2.0