n-ZnO/p-Si异质结J-V特性的实验研究

• 作者: 付竹西 林鸿生 马雷
• 来源期刊: 光电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 异质结 反向饱和电流密度 退火处理
• 年，卷（期）: 2001,（1）
• 页码范围: 36-38
• 页数: 3页
• 分类号: TN304
• 字数: 976字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-488X.2001.01.005

摘要

本文首次报道n-ZnO/p-Si异质结J-V特性实验测量的初步结果--经退火处理的异质结反向饱和电流密度比未经退火的减少一个数量级,表明退火改善ZnO/Si晶格界面结构,提高了n-ZnO/p-Si异质结性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林鸿生	中国科学技术大学物理系	16	74	5.0	8.0
2	马雷	中国科学技术大学物理系	22	323	9.0	17.0
3	付竹西	中国科学技术大学物理系	2	31	2.0	2.0