CVD金刚石薄膜衬底表面预处理技术进展

• 作者: 刘正义 邱万奇 黄元盛
• 来源期刊: 中国表面工程
• 学科: 工学
• 关键词: 金刚石薄膜 化学气相沉积 预处理
• 年，卷（期）: 2001,（3）
• 所属期刊栏目: 专题综述
• 页码范围: 18-20
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 3234字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1007-9289.2001.03.004

摘要

评述了化学气相沉积金刚石薄膜衬底表面预处理技术的进展情况.分析了表面研磨法、等离子刻蚀法、浸蚀除钴法、沉积中间层法在衬底表面形成稳定化合物等预处理对CVD金刚石薄膜沉积的影响.结果表明,金刚石粉末研磨基底、化学浸蚀除钴、在基底表面添加中间层以及在基底表面渗入第三元素并且使这种元素和基底表面的钴形成稳定中间化合物的方法都可提高金刚石的形核率,但大部分研究表明等离子体刻蚀预处理对金刚石的形核则起阻碍作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邱万奇	华南理工大学机电系	67	339	9.0	15.0
2	刘正义	华南理工大学机电系	91	1225	21.0	32.0
3	黄元盛	华南理工大学机电系	14	113	7.0	10.0