Mg在InGaAlP及GaP材料中的掺杂行为

• 作者: 华铭 曹永明 李越生 纪刚
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: InGaAlP GaP Mg 掺杂
• 年，卷（期）: 2001,（6）
• 页码范围: 729-732
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 2251字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.06.011

摘要

利用SIMS分析技术,研究了在InGaAlP和GaP材料中,MOCVD工艺参数对Mg的掺杂行为的影响.实验结果表明,在较高温度下,Mg在生长表面的再蒸发决定了Mg的掺杂浓度随衬底温度增加呈指数下降;而当载流子浓度饱和时,杂质Mg在材料中的置换填隙机制使得Mg的激活率随Cp2Mg流量的再增加反而下降.同时通过计算得到Mg在InGaAlP及GaP中的再蒸发激活能分别约为0.9eV和1.1eV.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李越生	复旦大学材料科学系	26	166	6.0	12.0
2	曹永明	复旦大学材料科学系	14	64	4.0	7.0
3	纪刚	复旦大学材料科学系	1	6	1.0	1.0
4	华铭		1	6	1.0	1.0