晶体生长界面相研究

• 作者: 李国华 王大伟 黄志良
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 界面相 界面层 吸附层 过渡层 模型
• 年，卷（期）: 2001,（2）
• 页码范围: 171-177
• 页数: 7页
• 分类号: O76
• 字数: 6565字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2001.02.013

摘要

在分析前人的晶体生长理论时，作者认为晶体生长过程中可能存在界面相；在分析各种晶体生长现象后认为，晶体生长过程中界面相是存在的，并起着十分重要的作用；通过分析研究，将晶体生长过程中的界面相划分为3个有机的组成部分：界面层、吸附层和过渡层；并进一步论述了界面层、吸附层和过渡层在晶体生长过程中的地位与作用；在此基础上提出了界面相模型。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王大伟	中南大学资源环境与建筑工程学院	56	884	17.0	27.0
2	李国华	中南大学资源环境与建筑工程学院	11	211	7.0	11.0
3	黄志良	中南大学资源环境与建筑工程学院	21	477	12.0	21.0