纳米Si/C/N复相粉体的微波介电特性

• 作者: 万伟 周万城 赵东林
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 纳米Si/C/N复相粉体 微波介电常量 微观结构
• 年，卷（期）: 2001,（12）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 2471-2476
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 5203字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2001.12.035

摘要

研究了纳米Si/C/N复相粉体在8.2-18GHz的微波介电特性,采用双反应室激光气相合成纳米粉体装置,以六甲基二硅胺烷((Me3Si)2NH)(Me:CH3)为原料,用激光诱导气相反应法合成纳米Si/C/N复相粉体,复相粉体的粒径为20-30nm.纳米Si/C/N复相粉体与石蜡复合体的介电常量的实部(ε′)和虚部(ε″)以及介电损耗角正切(tanδ=ε″/ε′)随纳米粉体含量的增加而增大,ε′和ε″与纳米粉体体积分数(v)之间符合二次函数关系(ε′,ε″=Av2+Bv+C),纳米Si/C/N复相粉体的ε′和ε″在8.2-18GHz随频率的增大而逐渐减小.纳米Si/C/N复相粉体中的SiC微晶固溶了大量的N原子,在纳米Si/C/N复相粉体中形成大量的带电缺陷,在电磁场作用下形成极化耗散电流,极化弛豫是损耗电磁波的主要原因,纳米Si/C/N复相粉体的介电损耗较大,而且ε′和ε″可以通过纳米粉体的含量进行调节.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周万城	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	206	1931	22.0	34.0
2	万伟	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	32	227	9.0	14.0