化学计量比的偏离对GaN的结晶品质及光电性能的影响

• 作者: 姚冬敏 彭学新 李鹏 江风益 熊传兵 王立 莫春兰
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN X射线光电子能谱 RBS/沟道 光致发光 Hall测量
• 年，卷（期）: 2001,（6）
• 页码范围: 746-750
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 3156字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.06.015

摘要

用X射线光电子能谱对MOCVD生长的未故意掺杂GaN单晶薄膜进行N、Ga组份测试,同时用RBS/Channeling、Hall测量和光致发光技术对样品进行结晶品质及光电性能研究.结果表明N含量相对低的GaN薄膜,其背景载流子浓度较高,离子束背散射沟道最小产额比χmin较小,带边辐射复合跃迁较强.在N含量相对低的GaN薄膜中易形成N空位,N空位是导致未故意掺杂的GaN单晶薄膜呈现n型电导的主要原因;N空位本身对离子束沟道产额没有贡献,但它能弛豫GaN与Al2O3之间的晶格失配,改善生长的GaN薄膜的结晶品质.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	莫春兰	南昌大学材料科学研究所	24	177	7.0	12.0
2	王立	南昌大学材料科学研究所	48	324	10.0	14.0
3	江风益	南昌大学材料科学研究所	60	527	12.0	19.0
4	李鹏	南昌大学材料科学研究所	16	162	5.0	12.0
5	熊传兵	南昌大学材料科学研究所	23	157	7.0	11.0
6	彭学新	南昌大学材料科学研究所	16	117	7.0	10.0
7	姚冬敏	南昌大学材料科学研究所	9	86	5.0	9.0