同时提高ZnO压敏电阻器的静态性能及冲击性能的方法

• 作者: 何欣 贾广平 霍建华 高长安
• 来源期刊: 电瓷避雷器
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO压敏电阻器 静态性能 冲击性能
• 年，卷（期）: 2001,（5）
• 所属期刊栏目: 避雷器
• 页码范围: 28-31
• 页数: 4页
• 分类号: TM283|TM201.4+4
• 字数: 2587字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-8337.2001.05.006

摘要

以往用于提高ZnO压敏电阻器8/20通流容量的方法对其静态性能有不良影响,笔者介绍了一种能同时提高ZnO压敏电阻器的静态性能及8/20冲击性能的方法.该方法通过调整Bi\-2O\-3、MnCO\-3含量,降低ZnO压敏电阻器陶瓷晶界易迁移离子,改善晶界结构,可以在提高ZnO压敏电阻器通流容量的同时降低电位梯度,改善静态漏电流及压比.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	贾广平		8	2	1.0	1.0
2	霍建华		4	23	3.0	4.0
3	何欣		1	1	1.0	1.0
4	高长安		1	1	1.0	1.0