X射线在重金属-二氧化硅界面的剂量增强的模拟计算

• 作者: 牟维兵 陈盘训
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 物理学
• 关键词: X射线 界面 辐射损伤 剂量增强因子
• 年，卷（期）: 2001,（1）
• 页码范围: 15-18
• 页数: 4页
• 分类号: O434.1
• 字数: 2416字
• 语种: 中文

摘要

当X射线射入不同材料组成的界面时，在低牂材料的一侧将产生剂量增强。介绍了界面剂量增强效应的基本原理，并用MCNP蒙特-卡罗程序计算了钨-二氧化硅、钽-二氧化硅界面的剂量增强因子。计算结果表明在X射线能量为100～150keV时，界面附近二氧化硅一侧存在较大的剂量增强。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈盘训	中国工程物理研究院应用电子学研究所	5	34	3.0	5.0
2	牟维兵	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	15	51	4.0	6.0