单晶Ni52Mn24Ga24的磁感生应变和磁增强双向形状记忆效应

• 作者: 吴光恒 柳祝红 王文洪 陈京兰 高淑侠
• 来源期刊: 金属功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 磁感生应变 双向形状记忆效应 Ni52Mn24Ga24
• 年，卷（期）: 2001,（2）
• 所属期刊栏目: 综合述评
• 页码范围: 32-35
• 页数: 4页
• 分类号: TG139+.6|TG146.1+5
• 字数: 3762字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-8192.2001.02.007

摘要

铁磁性Heusler合金Ni2MnGa是近年开发的磁控制功能材料,已发现该材料结合马氏体相变可以产生大磁致伸缩(磁感生应变)和磁控制形状记忆效应两种应用功能.用磁悬浮冷坩埚提拉设备沿[001]方向生长了组分为Ni52Mn24Ga24的单晶.室温时沿该单晶样品[001]方向加磁场,在该方向获得了-0.6%的大磁感生应变.当磁场方向垂直于[001]方向时,样品在[001]方向的磁感生应变值为0.5%.同时该单晶样品在室温附近还具有可由磁场增强和控制的双向形状记忆效应.无磁场作用时,降低温度,样品在发生马氏体相变时,在[001]方向产生1.2%的收缩形变.随后升高温度,反马氏体相变时样品以同样的应变量膨胀,恢复到原来的形状,显示了特有的无需外应力协助的自发的双向形状记忆效应.其温度滞后只有10℃.如果在样品的[001]方向加一个偏磁场,其形状记忆的应变量随磁场的增强而增大.在磁场为1.2T时可达4%.而当磁场转向[100]方向时,形状记忆的应变可以改变符号.本文指出产生大磁感生应变和磁增强双向形状记忆效应的关键是马氏体变体的择优取向.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	柳祝红	中国科学院物理研究所	10	112	6.0	10.0
2	吴光恒	中国科学院物理研究所	41	256	9.0	14.0
3	陈京兰	中国科学院物理研究所	21	178	9.0	13.0
4	王文洪	中国科学院物理研究所	20	129	6.0	11.0
5	高淑侠	中国科学院物理研究所	2	39	2.0	2.0