低温制备Pb(Zr0.52Ti0.48)O3铁电薄膜及其性能研究

• 作者: 于军 周文利 朱丽丽 王华 王耘波 谢基凡
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: PZT 铁电薄膜 PLD 制备工艺
• 年，卷（期）: 2001,（3）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 250-251,253
• 页数: 3页
• 分类号: TM27
• 字数: 2263字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2001.03.010

摘要

采用脉冲激光沉积技术(PLD)在(100)p-Si衬底上,低温淀积、快速退火成功地制备了具有完全钙钛矿结构的多晶PZT铁电薄膜.所制备的PZT铁电薄膜致密、均匀,表现出良好的介电和铁电性能,其介电常数和介电损耗100kHz下分别为320和0.08,剩余极化Pr和矫顽场Ec分别为14μC/cm2和58kV/cm,+5V电压下漏电流密度低于10-7A/cm2.107次极化反转后剩余极化仅下降10%,具有较好的疲劳特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	于军	华中理工大学电子科学与技术系	13	68	5.0	7.0
2	周文利	华中理工大学电子科学与技术系	11	50	4.0	6.0
3	王耘波	华中理工大学电子科学与技术系	7	19	2.0	4.0
4	谢基凡	华中理工大学电子科学与技术系	5	18	2.0	4.0
5	王华	华中理工大学电子科学与技术系	3	20	2.0	3.0
6	朱丽丽	华中理工大学电子科学与技术系	1	2	1.0	1.0