槽栅MOS控制的晶闸管

• 作者: 张义门 张鹤鸣 戴显英 林大松
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 槽栅MOS 栅控晶闸管 寄生晶体管
• 年，卷（期）: 2001,（5）
• 所属期刊栏目: 特邀综合评述
• 页码范围: 554-557
• 页数: 4页
• 分类号: TN134
• 字数: 743字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.05.005

摘要

报道了一种新结构的功率栅控晶闸管，称其为槽栅MOS控制的晶闸管（TMCT）.在该器件结构中，采用UMOS控制晶闸管的开启和关闭.结构中不存在任何的寄生器件，因此，消除了在其它结构的栅控晶闸管中由寄生晶体管引起的各种问题，所以TMCT会有优良的电特性.实验结果表明，多元胞TMCT（600V，有源区面积0.2mm2）的开态压降在300A/cm2时为1.25V，最大可控电流在栅压为-20V和电感负载下达到了296A/cm2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	戴显英	西安电子科技大学微电子所	55	329	10.0	15.0
2	张鹤鸣	西安电子科技大学微电子所	102	510	12.0	16.0
3	张义门	西安电子科技大学微电子所	129	835	15.0	21.0
4	林大松	西安电子科技大学微电子所	5	0	0.0	0.0