两种功率MESFET的Ids模型的比较及修正

• 作者: 刘佑宝 吴龙胜
• 来源期刊: 电力电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 模型 计算 精度
• 年，卷（期）: 2001,（1）
• 所属期刊栏目: 器件与测试
• 页码范围: 53-55
• 页数: 3页
• 分类号: TN4
• 字数: 1767字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-100X.2001.01.020

摘要

通过对两种常用FET的Ids与偏置之间函数关系模型比较,且根据实际中存在的问题,对这两种模型进行了修正,通过比较,确定了其中的一种修正方法是最为精确的,用修正的模型作为实际电路的模型.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘佑宝		56	248	9.0	13.0
2	吴龙胜		50	120	6.0	8.0