选择区域生长高质量InGaAsP多量子阱材料

• 作者: 刘国利 叶小玲 张佰君 张静媛 朱洪亮 汪孝杰 王圩 许国阳 陈娓兮
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 选择区域生长 LP-MOCVD InGaAsP 多量子阱 EML
• 年，卷（期）: 2001,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 609-612
• 页数: 4页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 2012字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.05.015

摘要

采用LP-MOVPE在SiO2掩膜的InP衬底上实现了高质量的InGaAsP多量子阱(MQW)的选择区域生长(SAG).通过改变生长温度和生长压力，MQW的适用范围由C波段扩展至L波段，即MQW的光致发光波长从1546nm延展至1621nm.光致发光（PL）测试表明：在宽达75nm的波长范围内，MQW的质量与非选择生长的MQW质量相当，并成功制作出电吸收调制DFB激光器（EML）.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	汪孝杰		8	22	3.0	4.0
2	朱洪亮		32	94	6.0	7.0
3	王圩		47	124	6.0	7.0
4	张静媛		11	37	3.0	5.0
5	刘国利		9	35	3.0	5.0
6	叶小玲	中国科学院半导体研究所	9	25	3.0	4.0
7	张佰君		3	6	2.0	2.0
8	陈娓兮		5	14	2.0	3.0
9	许国阳		1	2	1.0	1.0