硅基PbSe/BaF2/CaF2薄膜及其光电特性

• 作者: P.J.Mc Cann X.M.Fang 吴惠桢 寿翔 常勇 金进生
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: PbSe薄膜 BaF2/CaF2缓冲层 肖特基结 I-V特性
• 年，卷（期）: 2001,（2）
• 所属期刊栏目: 研究简报
• 页码范围: 154-156
• 页数: 3页
• 分类号: TN2
• 字数: 2618字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9014.2001.02.018

摘要

采用分子束外延方法在Si(111)衬底上生长了PbSe/BaF2/CaF2薄膜,扫描电镜和X-光衍射分析显示,通过生长BaF2/CaF2缓冲层的方法,在Si(111)衬底上外延的PbSe薄膜晶体质量高,PbSe表面光亮,无开裂现象发生,X-光衍射峰峰宽窄(153arcs).外延生长的PbSe薄膜被应用于制作光电二极管,首次采用热蒸发金属铝膜在PbSe表面形成Al-PbSe肖特基结光电二极管,获得了比Pb-PbSe肖特基结更为稳定和理想的电流-电压特性曲线.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴惠桢	浙江大学物理系	37	219	9.0	12.0
2	金进生	浙江大学物理系	18	114	6.0	10.0
3	常勇	中国科学院上海技术物理研究所	20	146	6.0	11.0
4	寿翔	浙江大学物理系	1	7	1.0	1.0