氘化、氟化对塑料光纤损耗性能的影响

• 作者: 储九荣 徐传骧 温序铭
• 来源期刊: 西安交通大学学报
• 关键词: 塑料光纤 损耗 氘化 氟化
• 年，卷（期）: 2001,（12）
• 页码范围: 1215-1218,1231
• 页数: 5页
• 分类号: O632|TN929.11
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-987X.2001.12.002

摘要

利用Morse势能理论,计算了不同化学键CX(X分别为H、D、F)的振动吸收损耗,发现在波长小于3 000 nm时,CH键的损耗最大,CD键的次之,CF键的最小;在波长大于3 000 nm时,CF键的损耗超过CD键的.因为塑料光纤本征损耗主要是CH键的振动吸收损耗,如果用D、F替代塑料光纤材料中CH的H,CX在可见光区及红外光区的振动吸收损耗就能显著降低.利用氘化、氟化的聚合物材料可制备出损耗小于1 0 dB/km的低损耗塑料光纤.研究结果为降低塑料光纤损耗提供了新的理论依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐传骧	西安交通大学电气工程学院	73	961	14.0	28.0
2	储九荣	西安交通大学电气工程学院	29	486	8.0	21.0
3	温序铭	西安交通大学电气工程学院	15	89	7.0	8.0