气相反应法制备GaN纳米线

• 作者: 张王月 曹永革 李建业 许涛 许燕萍 贺蒙 陈小龙 魏志锋
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: GaN纳米线 半导体材料 气相反应法
• 年，卷（期）: 2001,（3）
• 页码范围: 246-249
• 页数: 4页
• 分类号: O782
• 字数: 1592字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2001.03.005

摘要

用简单化学反应的方法,采用非空间限制的条件,成功地在LaAlO3衬底上制备了GaN纳米线.分别用X射线粉末衍射、场发射扫描电镜和高分辩电镜等对其成分、形貌及其结构进行了表征.制备的GaN纳米线直径大部分为10～50nm,且多呈平直光滑状态;纳米线的成分为六方晶系氮化镓晶体.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曹永革	中国科学院物理研究所	10	109	4.0	10.0
2	陈小龙	中国科学院物理研究所	21	80	6.0	7.0
3	许涛	中国科学院物理研究所	21	206	8.0	14.0
4	许燕萍	中国科学院物理研究所	5	13	3.0	3.0
5	李建业	北京科技大学中国科学院物理研究所	3	8	2.0	2.0
6	张王月	中国科学院物理研究所	2	7	2.0	2.0
7	魏志锋	北京科技大学中国科学院物理研究所	3	49	3.0	3.0
8	贺蒙	中国科学院物理研究所	2	6	2.0	2.0