Zn0.04Cd0.96Te中深能级的红外光电导谱研究

• 作者: 史国良 方家熊 李宁 沈学础 袁先漳 裴慧元 陆卫
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnxCd1-xTe 光电导 杂质 深能级
• 年，卷（期）: 2001,（4）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 775-778
• 页数: 4页
• 分类号: O4
• 字数: 2408字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2001.04.036

摘要

应用红外光电导谱研究半绝缘p型Zn0.04Cd0.96Te中的深能级，在温度从4.2到165K范围内，观察到了位于0.24，0.34，0.38，0.47，0.55和0.80eV处6个光电导响应峰.结合4.2K下光致发光谱的测量结果以及对ZnxCd1-xTe中深能级发光光谱、深能级瞬态谱等已有的研究结果，对这些响应峰对应的深能级特性进行了讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李宁	中国科学院上海技术物理研究所	304	5119	38.0	59.0
2	方家熊	中国科学院上海技术物理研究所	39	184	7.0	11.0
3	陆卫	中国科学院上海技术物理研究所	95	442	12.0	16.0
4	沈学础	中国科学院上海技术物理研究所	17	41	3.0	6.0
5	史国良	中国科学院上海技术物理研究所	3	1	1.0	1.0
6	袁先漳	中国科学院上海技术物理研究所	3	2	1.0	1.0
7	裴慧元	中国科学院上海技术物理研究所	4	2	1.0	1.0