HgCdTe表面电化学腐蚀方法研究

• 作者: 周芳 姚英 田萦
• 来源期刊: 红外技术
• 学科: 工学
• 关键词: HgCdTe晶片 表面损伤 电化学腐蚀
• 年，卷（期）: 2001,（4）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 18-21
• 页数: 4页
• 分类号: TN215
• 字数: 2259字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2001.04.006

摘要

对HgCdTe晶片的研磨和抛光,不可避免的要在其表面造成可见的机械划痕和不可见的损伤区.表面损伤对探测器的影响很大,控制好HgCdTe晶片的表面损伤是制备高性能多元探测器一个重要的工艺环节.在本文中,用电化学腐蚀的方法观察到这种不可见损伤区的存在,用电子探针成分分析法验证了实验结果,对电化学腐蚀机理进行了讨论.实验结果表明:通过电化学腐蚀方法可以直接观察HgCdTe表面不可见损伤区;即使是在显微镜下看到HgCdTe晶片有一个光亮和无划痕的表面,也可能存在不可见的损伤区.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	田萦		7	27	3.0	5.0
2	周芳		3	82	2.0	3.0
3	姚英		3	8	2.0	2.0