InGaAs/InGaAsP量子阱激光器材料带隙蓝移研究

• 作者: 刘超 叶小玲 姬成周 李国辉 陈涌海 韩德俊
• 来源期刊: 北京师范大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: 量子阱混合 波长蓝移 InGaAs/InGaAsP 光致发光谱
• 年，卷（期）: 2001,（2）
• 页码范围: 170-173
• 页数: 4页
• 分类号: TN248|O462.3
• 字数: 2211字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0476-0301.2001.02.007

摘要

为了在光开关器件的制作中实现低传输损耗的光波导，对InGaAs/InGaAsP分别限制异质结多量子阱(SCH-MQW)激光器结构进行了一系列带隙蓝移实验.将能量1～2MeV、注量1～5×1013 cm-2的P+注入到实验样品后，在700℃下快速热退火90s.发现光致发光谱的峰值位置发生蓝移9～89nm.蓝移量随着注入能量和注量的增大而增大，并且能量比注量对蓝移的影响更大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	姬成周	北京师范大学低能核物理研究所	10	28	3.0	5.0
2	李国辉	北京师范大学低能核物理研究所	12	13	2.0	3.0
3	韩德俊	北京师范大学低能核物理研究所	15	37	4.0	5.0
4	刘超	北京师范大学低能核物理研究所	41	282	8.0	16.0
5	陈涌海	中国科学院半导体所	16	40	4.0	5.0
6	叶小玲	中国科学院半导体所	9	25	3.0	4.0