CeO2高K栅介质薄膜的制备工艺及其电学性质

• 作者: 俞挺 刘晓彦 康晋锋 张朝晖 熊光成 王玮 连贵君 韩汝琦
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 高K栅介质 CeO2薄膜 Si表面/界面氮化 电学性质
• 年，卷（期）: 2001,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 865-870
• 页数: 6页
• 分类号: TN386
• 字数: 3405字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.07.010

摘要

研究了CeO2作为高K(高介电常数)栅介质薄膜的制备工艺,深入分析了衬底温度、淀积速率、氧分压等工艺条件和利用N离子轰击氮化Si衬底表面工艺对CeO2薄膜的生长及其与Si界面结构特征的影响,利用脉冲激光淀积方法在Si(100)衬底生长了具有(100)和(111)取向的CeO2外延薄膜;研究了N离子轰击氮化Si衬底表面处理工艺对Pt/CeO2/Si结构电学性质的影响.研究结果显示,利用N离子轰击氮化Si表面/界面工艺不仅影响CeO2薄膜的生长结构,还可以改善CeO2与Si界面的电学性质.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	连贵君	北京大学物理系	10	31	3.0	5.0
2	熊光成	北京大学物理系	25	63	4.0	7.0
3	刘晓彦	北京大学微电子所	41	268	9.0	15.0
4	韩汝琦	北京大学微电子所	38	261	10.0	14.0
5	康晋锋	北京大学微电子所	23	358	9.0	18.0
6	王玮	北京大学微电子所	61	390	12.0	17.0
7	张朝晖	北京大学物理系	20	61	5.0	6.0
8	俞挺	北京大学微电子所	3	21	2.0	3.0