GdVO4：Eu3+发光的温度效应

• 作者: 刘波 张庆礼 施朝淑
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: GdVO4：Eu3+ 发光 温度特性 电荷迁移态
• 年，卷（期）: 2001,（2）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 111-114
• 页数: 4页
• 分类号: O482.31
• 字数: 1264字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2001.02.004

摘要

研究了GdVO4：Eu3+在高压汞灯的313和365nm激发下室温以上(300～600K)发光的温度依赖关系。发现来自5D0的发射强度随温度的升高而显著增强，直到600K也未见饱和。其中5D07F2的619nm发射在600K温度时的强度是室温下的20多倍。我们认为Eu3+的电荷迁移态作为中间态是造成其发光增强的根本原因。激发过程中，先激发到Eu3+本身的5DJ(J=1，2，3…)激发态，然后在温度的作用下上升到电荷迁移态(CTS)，温度升高时传递几率显著增强，并按5D3，5D2，5D1依次使被激发的电子转入CTS态，从电荷迁移态直接弛豫传递给5D0态，由于5D0态电子数不断增多，致使来自5D0的发射随温度升高而增强。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘波	中国科学技术大学物理系	266	2712	24.0	39.0
2	施朝淑	中国科学技术大学物理系	48	820	15.0	27.0
3	张庆礼	中国科学技术大学物理系	60	592	14.0	22.0