SnO2/Fe2O3复合膜界面电导率特性分析

• 作者: 张文华
• 来源期刊: 华中师范大学学报(自然科学版)
• 学科: 物理学
• 关键词: 电导率 电子补偿 杂质散射 晶界电阻 空穴复合
• 年，卷（期）: 2001,（1）
• 页码范围: 61-63
• 页数: 3页
• 分类号: O471.4
• 字数: 2252字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-1190.2001.01.018

摘要

等离子体化学气相淀积法(PCVD法)制备的复合膜SnO2/Fe2O3界面电导特性是由于非平衡反应生成的过渡层的结果.其电导机理可用半导体薄膜理论来阐明：当锡在Fe2O3中的浓度低时，由于准自由电子补偿机制起作用，导电率升高；当锡与铁在过渡层中浓度接近时，杂质散射和晶界电阻增大，电导率急剧减小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张文华	华中师范大学化学系	38	166	7.0	11.0